STMicroelectronics - IRF630FP

KEY Part #: K6415529

[8336個在庫]


    品番:
    IRF630FP
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics IRF630FP electronic components. IRF630FP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF630FP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF630FP 製品の属性

    品番 : IRF630FP
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
    シリーズ : MESH OVERLAY™ II
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 30W (Tc)
    動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
    パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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