説明 :
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
880pF @ 25V
消費電力(最大) :
3.13W (Ta), 130W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA