STMicroelectronics - STFI26N60M2

KEY Part #: K6400678

STFI26N60M2 価格設定(USD) [23796個在庫]

  • 1 pcs$1.63059
  • 10 pcs$1.45431
  • 100 pcs$1.19253
  • 500 pcs$0.91614
  • 1,000 pcs$0.77265

品番:
STFI26N60M2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STFI26N60M2 electronic components. STFI26N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFI26N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFI26N60M2 製品の属性

品番 : STFI26N60M2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
シリーズ : MDmesh™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 165 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAKFP (TO-281)
パッケージ/ケース : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD3P50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • IRFI720GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP.

  • IRLR024PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK.

  • CSD13306WT

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.

  • CSD17575Q3T

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON.

  • CSD17555Q5A

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 100A 8SON.