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- 品番:
- AON2701_001
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH W/DIODE DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2701_001 electronic components. AON2701_001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AON2701_001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AON2701_001 製品の属性
品番 :
AON2701_001
メーカー :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
説明 :
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 10V
FET機能 :
Schottky Diode (Body)
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-DFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
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