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- 品番:
- IPU60R1K5CEBKMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V TO-251-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPU60R1K5CEBKMA1 electronic components. IPU60R1K5CEBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU60R1K5CEBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPU60R1K5CEBKMA1 製品の属性
品番 :
IPU60R1K5CEBKMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
シリーズ :
CoolMOS™ CE
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 90µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
28W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-251
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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