IXFN360N10T 価格設定（USD） [4454個在庫]
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- 100 pcs$7.50464
- 250 pcs$6.84247
- 500 pcs$6.40102
- 品番:
- IXFN360N10T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN360N10T electronic components. IXFN360N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN360N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN360N10T 製品の属性
品番 :
IXFN360N10T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
360A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
505nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
36000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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