HTNFET-D 価格設定（USD） [230個在庫]
- 1 pcs$214.11918
- 品番:
- HTNFET-D
- メーカー:
- Honeywell Aerospace
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-D electronic components. HTNFET-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-D 製品の属性
品番 :
HTNFET-D
メーカー :
Honeywell Aerospace
説明 :
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
シリーズ :
HTMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs（最大） :
10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 28V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-CDIP-EP
パッケージ/ケース :
8-CDIP Exposed Pad
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK753R4-30B,127
- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
- AO4476A_103
- NTMFS4C06NT1G-001
- 5HP01C-TB-E
- VS-FA38SA50LCP
- ZXM62P03E6TC
- RJK2508DPK-00#T0
- 2SK4197FS
- SIE820DF-T1-GE3
- IPD60R600CPBTMA1
- AOD456
- AO4409
- SI4833ADY-T1-GE3
- SI3456CDV-T1-E3
- SI1037X-T1-E3
- AUIRFZ44ZS
- IRF7459TRPBF
- NTD60N02RT4G
- BS170_J35Z
- 2SK1374G0L
- FDC3612_F095
- IRFR3806PBF
- NTD3055L104G
- NTD3055-150G
- IRF6622TR1PBF
- IPP120N06NGAKSA1
- FQPF3N80
- IRFBC40
- IRF510S
- BUK953R2-40B,127
- STP11NM60N
- STD12NF06-1
- SUM90220E-GE3
- IPP45N06S4L08AKSA2
- PSMN3R5-40YSDX
- RQ1E100XNTR
- AO4455
- PSMN6R0-30YL,115