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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America NP110N055PUG-E1-AY electronic components. NP110N055PUG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP110N055PUG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP110N055PUG-E1-AY 製品の属性
品番 :
NP110N055PUG-E1-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
110A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
380nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
25700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta), 288W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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