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ON Semiconductor - NTF3055L108T1G

KEY Part #: K6416552

NTF3055L108T1G 価格設定（USD） [338452個在庫]

  • 1 pcs$0.10928
  • 1,000 pcs$0.10608
品番:
NTF3055L108T1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTF3055L108T1G electronic components. NTF3055L108T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTF3055L108T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTF3055L108T1G 製品の属性

品番 : NTF3055L108T1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs（最大） : ±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 440pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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