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- 品番:
- IRFR3707ZTRRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 56A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR3707ZTRRPBF electronic components. IRFR3707ZTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3707ZTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR3707ZTRRPBF 製品の属性
品番 :
IRFR3707ZTRRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.25V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1150pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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