IPD079N06L3GBTMA1 価格設定（USD） [211227個在庫]
- 1 pcs$0.17511
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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IPD079N06L3GBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD079N06L3GBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 34µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4900pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
79W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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