Microsemi Corporation - APT7M120S

KEY Part #: K6394253

APT7M120S 価格設定(USD) [13311個在庫]

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品番:
APT7M120S
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT7M120S 製品の属性

品番 : APT7M120S
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2565pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 335W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D3Pak
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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