HAT2173H-EL-E 価格設定（USD） [66799個在庫]
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- 品番:
- HAT2173H-EL-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2173H-EL-E electronic components. HAT2173H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2173H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2173H-EL-E 製品の属性
品番 :
HAT2173H-EL-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4350pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669
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