AUIRF3710Z 価格設定（USD） [1378個在庫]
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- 10 pcs$1.20179
- 100 pcs$0.91631
- 品番:
- AUIRF3710Z
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF3710Z electronic components. AUIRF3710Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF3710Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF3710Z 製品の属性
品番 :
AUIRF3710Z
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
59A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
160W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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