説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
365pF @ 10V
消費電力(最大) :
335mW (Ta), 2.17W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3