AUIRF7647S2TR 価格設定（USD） [138633個在庫]
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- 品番:
- AUIRF7647S2TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7647S2TR electronic components. AUIRF7647S2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7647S2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7647S2TR 製品の属性
品番 :
AUIRF7647S2TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.9A (Ta), 24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
31 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
910pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 41W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ SC
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric SC
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