Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K56CT,L3F

KEY Part #: K6418258

SSM3K56CT,L3F 価格設定(USD) [1425630個在庫]

  • 1 pcs$0.02868
  • 10,000 pcs$0.02854

品番:
SSM3K56CT,L3F
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET NCH 20V 800MA CST3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT,L3F electronic components. SSM3K56CT,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K56CT,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K56CT,L3F 製品の属性

品番 : SSM3K56CT,L3F
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET NCH 20V 800MA CST3
シリーズ : U-MOSVII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 800mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 55pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : CST3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFIZ34NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP.

  • TK7A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.