ON Semiconductor - NVMFS5C612NLAFT1G

KEY Part #: K6397267

NVMFS5C612NLAFT1G 価格設定(USD) [71157個在庫]

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品番:
NVMFS5C612NLAFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C612NLAFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS5C612NLAFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 38A (Ta), 250A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6660pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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