FDMC008N08C 価格設定（USD） [101592個在庫]
- 1 pcs$0.38488
- 品番:
- FDMC008N08C
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC008N08C electronic components. FDMC008N08C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC008N08C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC008N08C 製品の属性
品番 :
FDMC008N08C
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 120µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2150pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
57W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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