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Microsemi Corporation - APT18F60B

KEY Part #: K6393225

APT18F60B 価格設定（USD） [18870個在庫]

  • 1 pcs$2.41437
  • 106 pcs$2.40236
品番:
APT18F60B
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT18F60B electronic components. APT18F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18F60B 製品の属性

品番 : APT18F60B
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 19A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 390 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3550pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 335W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
パッケージ/ケース : TO-247-3

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