Microsemi Corporation - APT18F60B

KEY Part #: K6393225

APT18F60B 価格設定（USD） [18870個在庫]

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品番:: APT18F60B

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APT18F60B electronic components. APT18F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT18F60B 製品の属性

品番 : APT18F60B

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 19A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 390 mOhm @ 9A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3550pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 335W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]

パッケージ/ケース : TO-247-3

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