ON Semiconductor - NTD4860N-35G

KEY Part #: K6408445

[624個在庫]


    品番:
    NTD4860N-35G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTD4860N-35G electronic components. NTD4860N-35G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4860N-35G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD4860N-35G 製品の属性

    品番 : NTD4860N-35G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.4A (Ta), 65A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16.5nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1308pF @ 12V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.28W (Ta), 50W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRLR2905CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 36A DPAK.

    • IRFR3704ZCPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 60A DPAK.

    • IRLR7833CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

    • IRLR7843CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.

    • IRFR9120NCPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK.

    • IRFR220NCPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.