Vishay Siliconix - IRFU014PBF

KEY Part #: K6399378

IRFU014PBF 価格設定(USD) [64496個在庫]

  • 1 pcs$0.54771
  • 10 pcs$0.48458
  • 100 pcs$0.38311
  • 500 pcs$0.28104
  • 1,000 pcs$0.22188

品番:
IRFU014PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFU014PBF electronic components. IRFU014PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU014PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFU014PBF 製品の属性

品番 : IRFU014PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251AA
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.