Diodes Incorporated - DMN3016LDV-13

KEY Part #: K6522188

DMN3016LDV-13 価格設定(USD) [326859個在庫]

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品番:
DMN3016LDV-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3016LDV-13 製品の属性

品番 : DMN3016LDV-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1184pF @ 15V
パワー-最大 : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8

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