Infineon Technologies - IPP051N15N5AKSA1

KEY Part #: K6416317

IPP051N15N5AKSA1 価格設定(USD) [13436個在庫]

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品番:
IPP051N15N5AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MV POWER MOS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP051N15N5AKSA1 製品の属性

品番 : IPP051N15N5AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MV POWER MOS
シリーズ : OptiMOS™ 5
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 8V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.1 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.6V @ 264µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7800pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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