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- 品番:
- BSP295E6327T
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP295E6327T electronic components. BSP295E6327T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP295E6327T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP295E6327T 製品の属性
品番 :
BSP295E6327T
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.8V @ 400µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
368pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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