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- 品番:
- IRLHS6242TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 10A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6242TR2PBF electronic components. IRLHS6242TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6242TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6242TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRLHS6242TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1110pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-PowerVDFN
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