Infineon Technologies - IPW60R165CPFKSA1

KEY Part #: K6392610

IPW60R165CPFKSA1 価格設定(USD) [16669個在庫]

  • 1 pcs$2.47233

品番:
IPW60R165CPFKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R165CPFKSA1 electronic components. IPW60R165CPFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R165CPFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R165CPFKSA1 製品の属性

品番 : IPW60R165CPFKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 790µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2000pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 192W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VN3205N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8796

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FQD7N30TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.

  • FQD5N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.

  • FDD3670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.

  • HUF76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.