[641個在庫]
- 品番:
- ZXMN2F34MATA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2F34MATA electronic components. ZXMN2F34MATA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2F34MATA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN2F34MATA 製品の属性
品番 :
ZXMN2F34MATA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
277pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.35W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN322
パッケージ/ケース :
3-VDFN
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