説明 :
MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
41.6A (Ta), 131A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.63 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
100nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
5500pF @ 20V
消費電力(最大) :
4.8W (Ta), 48W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8