Diodes Incorporated - DMPH6250SQ-7

KEY Part #: K6393972

DMPH6250SQ-7 価格設定(USD) [539463個在庫]

  • 1 pcs$0.06856

品番:
DMPH6250SQ-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 61V-100V SOT23 TR.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMPH6250SQ-7 electronic components. DMPH6250SQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMPH6250SQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMPH6250SQ-7 製品の属性

品番 : DMPH6250SQ-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 61V-100V SOT23 TR
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 155 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 512pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 920mW
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません