DMN33D8LT-13 価格設定（USD） [1737669個在庫]
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- 10,000 pcs$0.01923
- 品番:
- DMN33D8LT-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 0.115A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 electronic components. DMN33D8LT-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN33D8LT-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN33D8LT-13 製品の属性
品番 :
DMN33D8LT-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 0.115A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
115mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.55nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
48pF @ 5V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
240mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-523
パッケージ/ケース :
SOT-523
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