Infineon Technologies - IRLB8721PBF

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IRLB8721PBF 価格設定(USD) [89066個在庫]

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品番:
IRLB8721PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLB8721PBF 製品の属性

品番 : IRLB8721PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 62A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.7 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1077pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 65W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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