IXYS - IXFN38N100P

KEY Part #: K6397995

IXFN38N100P 価格設定(USD) [2499個在庫]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

品番:
IXFN38N100P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFN38N100P electronic components. IXFN38N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN38N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN38N100P 製品の属性

品番 : IXFN38N100P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 38A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 210 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 350nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 24000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1000W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.

  • 2SK3892

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.