UPA2660T1R-E2-AX 価格設定（USD） [445338個在庫]
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- 品番:
- UPA2660T1R-E2-AX
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America UPA2660T1R-E2-AX electronic components. UPA2660T1R-E2-AX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2660T1R-E2-AX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UPA2660T1R-E2-AX 製品の属性
品番 :
UPA2660T1R-E2-AX
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
62 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
330pF @ 10V
パワー-最大 :
2.3W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-HUSON (2x2)
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