Vishay Siliconix - SUP40N10-30-GE3

KEY Part #: K6405902

[1505個在庫]


    品番:
    SUP40N10-30-GE3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix SUP40N10-30-GE3 electronic components. SUP40N10-30-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP40N10-30-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUP40N10-30-GE3 製品の属性

    品番 : SUP40N10-30-GE3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 38.5A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 89W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3