Infineon Technologies - IPA65R125C7XKSA1

KEY Part #: K6417479

IPA65R125C7XKSA1 価格設定(USD) [32015個在庫]

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品番:
IPA65R125C7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R125C7XKSA1 製品の属性

品番 : IPA65R125C7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V TO220-3
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 440µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1670pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 32W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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