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ON Semiconductor - FQI7P06TU

KEY Part #: K6410909

[13974個在庫]

    品番:
    FQI7P06TU
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQI7P06TU electronic components. FQI7P06TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI7P06TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI7P06TU 製品の属性

    品番 : FQI7P06TU
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 410 mOhm @ 3.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.2nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±25V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 295pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 3.75W (Ta), 45W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK (TO-262)
    パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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