[13386個在庫]
- 品番:
- UPA2766T1A-E2-AY
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America UPA2766T1A-E2-AY electronic components. UPA2766T1A-E2-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2766T1A-E2-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UPA2766T1A-E2-AY 製品の属性
品番 :
UPA2766T1A-E2-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
130A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
257nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10850pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HVSON (5.4x5.15)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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