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- 品番:
- PMN50XP,165
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMN50XP,165 electronic components. PMN50XP,165 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN50XP,165, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMN50XP,165 製品の属性
品番 :
PMN50XP,165
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1020pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.2W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
パッケージ/ケース :
SC-74, SOT-457
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