ZXMHC3A01N8TC 価格設定（USD） [179158個在庫]
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- 2,500 pcs$0.18272
- 品番:
- ZXMHC3A01N8TC
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC electronic components. ZXMHC3A01N8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMHC3A01N8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMHC3A01N8TC 製品の属性
品番 :
ZXMHC3A01N8TC
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.17A, 1.64A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
190pF @ 25V
パワー-最大 :
870mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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