IXYS - IXFN27N80

KEY Part #: K6397863

IXFN27N80 価格設定(USD) [2903個在庫]

  • 1 pcs$15.66417
  • 10 pcs$14.48924
  • 25 pcs$13.31450
  • 100 pcs$12.37470
  • 250 pcs$11.35652

品番:
IXFN27N80
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFN27N80 electronic components. IXFN27N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN27N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN27N80 製品の属性

品番 : IXFN27N80
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 27A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V, 15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 400nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9740pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 520W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.