ON Semiconductor - FQN1N50CTA

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FQN1N50CTA 価格設定(USD) [355999個在庫]

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品番:
FQN1N50CTA
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQN1N50CTA 製品の属性

品番 : FQN1N50CTA
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 380mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.4nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 195pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-92-3
パッケージ/ケース : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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