BSZ0901NSIATMA1 価格設定（USD） [176341個在庫]
- 1 pcs$0.20975
- 品番:
- BSZ0901NSIATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ0901NSIATMA1 electronic components. BSZ0901NSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ0901NSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ0901NSIATMA1 製品の属性
品番 :
BSZ0901NSIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Body)
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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