[12666個在庫]
- 品番:
- IRLML2803TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLML2803TR electronic components. IRLML2803TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML2803TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLML2803TR 製品の属性
品番 :
IRLML2803TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
250 mOhm @ 910mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
85pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
540mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro3™/SOT-23
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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