[12873個在庫]
- 品番:
- IRL1004STRL
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRL1004STRL electronic components. IRL1004STRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL1004STRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL1004STRL 製品の属性
品番 :
IRL1004STRL
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
130A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 mOhm @ 78A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
100nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5330pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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