[627個在庫]
- 品番:
- NTD6600N-1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 12A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTD6600N-1G electronic components. NTD6600N-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD6600N-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTD6600N-1G 製品の属性
品番 :
NTD6600N-1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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