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ON Semiconductor - FDA33N25

KEY Part #: K6402164

FDA33N25 価格設定（USD） [29043個在庫]

  • 1 pcs$1.41905
  • 10 pcs$1.28244
  • 100 pcs$0.97777
  • 500 pcs$0.76050
  • 1,000 pcs$0.63013
品番:
FDA33N25
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDA33N25 electronic components. FDA33N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDA33N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDA33N25 製品の属性

品番 : FDA33N25
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
シリーズ : UniFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 33A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 46.8nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 245W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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