Vishay Siliconix - SI3460BDV-T1-E3

KEY Part #: K6418866

SI3460BDV-T1-E3 価格設定(USD) [239890個在庫]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.13563

品番:
SI3460BDV-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 electronic components. SI3460BDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3460BDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460BDV-T1-E3 製品の属性

品番 : SI3460BDV-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 24nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 860pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSOP
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.