BSC014NE2LSIATMA1 価格設定（USD） [137154個在庫]
- 1 pcs$0.26968
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC014NE2LSIATMA1 electronic components. BSC014NE2LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC014NE2LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC014NE2LSIATMA1 製品の属性
品番 :
BSC014NE2LSIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
33A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2700pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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