TK6R7P06PL,RQ 価格設定（USD） [200002個在庫]
- 1 pcs$0.18494
- 品番:
- TK6R7P06PL,RQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ electronic components. TK6R7P06PL,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6R7P06PL,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK6R7P06PL,RQ 製品の属性
品番 :
TK6R7P06PL,RQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
シリーズ :
U-MOSIX-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
46A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 300µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1990pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
66W (Tc)
動作温度 :
175°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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